机译:控制逻辑扰动和多节点电荷收集对40 nm CMOS中的触发器SEU横截面的贡献
机译:使用90 nm CMOS技术设计低功耗脉冲触发触发器
机译:采用40nm大块CMOS技术的单事件容限触发器设计
机译:在40 nm CMOS技术中使用皮秒触发器的皮秒脉冲激光刺激进行SEU灵敏度和建模
机译:皮秒激光脉冲与中等长度的等离子体相互作用期间的受激布里渊散射。
机译:分馏频率加倍的比较1064 / 532 nmpic秒:YAG激光器和非烧蚀分数1540nm:玻璃治疗面部萎缩疤痕:随机分裂双盲试验
机译:在40 nm CMOS技术中使用皮秒脉冲激光激发D触发器的SEU灵敏度和建模
机译:皮秒和重复脉冲激光的眼部危害。第二卷。氩离子激光(514.5 nm)。